Материалы портала «Научная Россия»

0 комментариев 982

Главе РАН А.М. Сергееву представили способы увеличения скорости квантовых эффектов

Главе РАН А.М. Сергееву представили способы увеличения скорости квантовых эффектов
Институт представил результаты реализации проекта "Квантовые структуры для посткремниевой электроники"

В рамках визита в Новосибирск глава РАН Александр Сергеев посетил Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН - головную организацию проекта "Квантовые структуры для посткремниевой электроники. Участники надеются установить фундаментальные физические закономерности квантовых и топологических полупроводниковых материалов, гетеросистем и структур, а главное, определить возможности их использования для перспективной посткремниевой электроники на новых физических принципах. 

Цифровая экономика, роботизация, квантовая криптография и другие передовые направления развития требуют от электроники увеличения скорости, энергоэффективности, быстродействия и безопасности передачи данных. По оценкам ученых, функциональные пределы кремниевой элементной базы совсем скоро будут достигнуты. Поэтому уже сегодня ученые всего мира ищут структуры, которые смогут работать в рамках новых физических принципов, в частности - с использованием квантовых эффектов. 

В Институте президент РАН встретился с экс-председателем Сибирского отделения РАН, ученым-физиком Александром Асеевым. Александр Леонидович отметил, что разработки института очень востребованы. Сегодня Александр Асеев возглавляет отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур - один из ключевых в Институте физики полупроводников. 

Название изображения

Директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН Александр Латышев рассказал о первых результатах проекта. Уже разработаны основы технологии базовых наноэлементов для компьютеров нового поколения, динамически управляемых метаматериалов и плазмонных наноприборов. Среди участников проекта: Новосибирский государственный университет, Институт прикладной физики РАН, Санкт-Петербургский государственный университет, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН.

"Наличие подобных проектов - большой плюс. Ведь речь идет не только об объединении научных ресурсов, но и объединении технологий, приборной базы", - отметил Латышев. "Нас окружает цифровая трансформация. В основе всех достижений лежит элементная база, на которой всё это выполнено. Основа всего - транзистор. Современные тенденции связаны с уменьшением геометрического размера транзистора. Уже создаются микросхемы, основанные на 50-ти млрд транзисторах"

Одной из основных технологий современной полупроводниковой электроники считается молекулярно-лучевая эпитаксия. Специфика метода характеризуется осаждением испарённого в молекулярном источнике вещества на кристаллическую подложку. Несмотря на достаточно простую идею, реализация данной технологии требует чрезвычайно сложных технических решений. 

 

Новосибирск Сибирское отделение РАН академик ран Александр Латышев институт физики полупроводников квантовые структуры

Назад

Социальные сети

Комментарии

Авторизуйтесь, чтобы оставить комментарий

Информация предоставлена Информационным агентством "Научная Россия". Свидетельство о регистрации СМИ: ИА № ФС77-62580, выдано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций 31 июля 2015 года.