Специалисты РТУ МИРЭА разработали конструкцию полевого транзистора на основе алмаза, который превзойдёт аналоги на основе традиционных полупроводников по важнейшим параметрам и производительности. Проект проводился на базе передовой инженерной школы СВЧ-электроники РТУ МИРЭА.
Ученые и инженеры лаборатории «Алмазная СВЧ-электроника» РТУ МИРЭА.
Автор фото: Александра Тимофеева, пресс-служба РТУ МИРЭА
Новое устройство использует кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 микрона, созданный методом термохимической обработки. Эта технология позволяет устранить дефекты поверхности, что значительно улучшает электрофизические характеристики транзистора.
«Транзистор, как ожидается, сможет продемонстрировать на 10-15% лучшую производительность по сравнению с существующими аналогами, - поясняет ведущий разработчик, заведующий лабораторией «Алмазная СВЧ-электроника» РТУ МИРЭА Андрей Алтухов. - Ключевое преимущество - это сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности».
Разработка особенно актуальна для применения в экстремальных условиях - от космической техники до ядерной энергетики, где обычные кремниевые транзисторы быстро выходят из строя.
Алмазные транзисторы найдут применение в системах связи нового поколения, радиолокационных станциях, медицинском оборудовании и промышленной электронике. В 2025 году на эту разработку был получен патент.
Информация предоставлена пресс-службой РТУ МИРЭА
