Ученые химического и физического факультетов МГУ показали, что стабильность полупроводниковых газовых сенсоров можно увеличить за счет замены собственных дефектов в кристаллической структуре оксидов металлов на примесные. Данная концепция расширяет возможности создания сенсорных материалов с длительным временем устойчивой работы. Работа опубликована в журнале Sensors and Actuators B: Chemical и поддержана грантом РНФ № 22-19-00703.
Полупроводниковые газовые сенсоры – миниатюрные, недорогие и высокочувствительные устройства, которые могут быть использованы для детектирования газов в различных практических задачах: от медицинской диагностики до мониторинга атмосферного воздуха. Стабильный отклик сенсоров при длительной работе – ключевое требование для их применения в системах машинного обоняния, также известных как «электронный нос».
«Чувствительные материалы (в нашем случае – оксиды металлов) в газовых сенсорах обычно находятся в наноразмерном состоянии, – рассказал руководитель работы, старший научный сотрудник кафедры неорганической химии химического факультета МГУ Валерий Кривецкий. – Это делает их высокочувствительными к протекающим на поверхности процессам, к которым относится взаимодействие с компонентами воздуха. Подобные системы неустойчивы при высоких температурах – кристаллиты могут агломерировать и сливаться воедино, что до последнего времени считалось основной причиной изменения сенсорных свойств со временем».
Для исследования причин, приводящих к постепенному снижению газочувствительных свойств, ученые непрерывно тестировали сенсоры более месяца, а также искусственно состаривали порошки сенсорных материалов в условиях, имитирующих сенсорный эксперимент. Применение высокочувствительного метода анализа – электронного парамагнитного резонанса – позволило обнаружить изменения в состаренных материалах.
«Мы увидели, что существенный вклад в медленный дрейф сенсорных свойств вносит процесс, ранее практически не обсуждавшийся в этом ключе, – “исправление” дефектов кристаллической структуры, – пояснил Валерий Кривецкий. – В основном это вакансии кислорода – пустые позиции в кристаллической решетке, которые в нормальном состоянии занимают атомы кислорода. Такие вакансии образуются самопроизвольно в ходе синтеза материала и во многом определяют концентрацию свободных электронов – носителей заряда, отвечающих за полупроводниковые свойства. В ходе работы материала при высоких температурах происходит постепенное заполнение кислородных вакансий за счет кислорода воздуха».
Вызванный уменьшением кислородных вакансий дрейф сенсорных свойств может продолжаться более месяца, что существенным образом ограничивает возможности по калибровке сенсора или применению более сложных моделей машинного обучения. Из-за изменения свойства материала снижается качество анализа при определении типов или концентраций газов и их смесей.
«Для компенсации обнаруженного эффекта мы внедрили в структуру оксида искусственно созданные кислородные вакансии за счет добавления примеси, захватывающей электроны, – объяснила аспирантка кафедры неорганической химии первый автор исследования Алина Сагитова. – Чтобы такая замена не привела к утрате свободных носителей заряда и, соответственно, полупроводниковых свойств, мы дополнительно ввели в систему необходимое количество примеси с избытком электронов (по отношению к решетке). Суммарно этот подход можно представить как замену собственных носителей заряда на генерируемые примесью».
Модифицированные сенсоры вдвое медленнее теряли сенсорный отклик в длительных измерениях по сравнению с немодифицированным полупроводником. Поэтому рекомендованный авторами подход можно использовать для создания газочувствительных материалов с улучшенными эксплуатационными характеристиками.
Информация и фото предоставлены пресс-службой МГУ
Источник фото: химический факультет МГУ
