Последние несколько лет Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН участвует в программах Минобрнауки России по обновлению приборной базы, и часть лабораторий, включая молодежные, удалось оснастить оборудованием мирового класса. Этот процесс продолжится и в текущем году, так как институт выиграл очередной грант Минобрнауки России. Сейчас ИФП СО РАН ведет набор в аспирантуру. Аспиранты под руководством опытных ученых выполняют работы на уровне мировых научных школ, проводят эксперименты, используя новую приборную базу.
Установка атомно-слоевого осаждения SI PEALD. Рядом с ней сотрудник ИФП СО РАН, молодой ученый Сергей Мутилин
«За последние два года мы закупили следующие приборы: установку атомно-слоевого осаждения SI PEALD; систему фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением ARPES FlexPS; единый комплекс оборудования для ближнепольной микроскопии и спектроскопии фирмы HORIBA; настольную установку лазерной безмасковой фотолитографии модели µMLA; криостат с криомагнитной системой TeslatronPT; установку Wafer Profiler для измерения концентраций легирующих примесей в полупроводниковых структурах; установку неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах; систему реконденсации жидкого гелия для работы криомагнитной системы по получению сверхнизких температур в сильных магнитных полях на базе гелиевого реконденсатора», ― отмечает заместитель директора ИФП СО РАН по научно-организационной работе кандидат физико-математических наук Александр Каламейцев.
Для развития полупроводниковых технологий современное оборудование имеет ключевое значение: на устаревших приборах зачастую невозможно провести измерения тонких эффектов, осуществить нужные эксперименты. Специалисты, умеющие работать на современных сложных установках, интерпретировать результаты, ― высококвалифицированы, однако, чтобы получить такие навыки, требуется определенное время, и в процессе обучения в аспирантуре это можно сделать.
«Многие молодые ученые и аспиранты ИФП СО РАН ― руководители и исполнители грантов Российского научного фонда, Российского фонда фундаментальных исследователей, стипендиаты программ Президента Российской Федерации, Правительства РФ, мэрии Новосибирска. Молодые специалисты публикуют работы в высокорейтинговых журналах, участвуют в научных конференциях по всему миру, могут выезжать на стажировки в другие организации (в том числе зарубежные). Аспирантам ежемесячно начисляется государственная стипендия (9927,33 руб.), также они трудоустраиваются в институт, а очное обучение дает отсрочку от армии. В нашем институте ежегодно проводится свой конкурс стипендий для молодых ученых. Администрация ИФП СО РАН содействует в получении общежития, служебного жилья или выплачивается частичная компенсация аренды», ― рассказывает руководитель отдела аспирантуры кандидат физико-математических наук Алла Настовьяк.
Установка неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах LEI-1618AM
По словам заведующего молодежной лаборатории нанотехнологий и наноматериалов ИФП СО РАН кандидата физико-математических наук Владимира Селезнева, новое оборудование ― установка атомно-слоевого осаждения (PEALD, SENTECH, Германия) ― существенно расширяет технологические возможности подразделения.
«С помощью установки мы решаем задачи синтеза высококачественных наноструктур диоксида ванадия и диоксида гафния: например, можно селективно вести рост в заданных нанообластях подложки, синтезировать однородное покрытие на высокоаспектных кремниевых наностержнях (нанообъектах большой высоты с малым латеральным размером ― прим. авт.). В частности, мы используем пленки диоксида гафния толщиной в несколько нанометров в качестве защитной маски при формировании кремниевых наноструктур», ― комментирует В. Селезнев.
В лаборатории №37 ИФП СО РАН три года назад появилась установка молекулярно-лучевой эпитаксии для синтеза нитридных гетероструктур «Compact 21-N», производства французской фирмы Riber, позволяющая создавать полупроводниковый материал для СВЧ-электроники за сравнительно короткое время.
В этом году ученые получили возможность бесконтактно проверять параметры синтезируемых объектов с помощью диагностического прибора ― установки неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах «LEI-1618AM».
«Новая установка позволяет сэкономить дорогостоящий материал, сократить время производства многослойных полупроводниковых структур ― арсенид-галлиевых и нитрид-галлиевых. Раньше для контроля концентраций подвижности носителей заряда ― основных параметров гетероструктур для СВЧ-транзисторов - нам нужно было изготавливать тестовые структуры, затем вырезать из них образцы, измерять их свойства. Сейчас с помощью нового оборудования мы можем проводить контроль бесконтактно, неразрушающими методами и подбирать наилучшие параметры: толщины слоев, уровни легирования, расположения», ― добавляет заведующий лабораторией №37 ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Константин Журавлёв.
Информация и фото предоставлены пресс-службой ИФП СО РАН
