Материалы по тегу «ИФП СО РАН»

 Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН обнаружили новые квантовые явления в транспорте электронов. Эффекты связаны с наблюдением и исследованием мезоскопических флуктуаций проводимости в двумерном полуметалле

Речь идет об излучателе и детекторе одиночных фотонов, созданных учеными Института физики полупроводников

Ученые ИФП СО РАН создают мегапиксельные инфракрасные матрицы, компонентную базу для радиофотонных систем связи и важнейшие составляющие навигационных систем ― полупроводниковые лазеры для миниатюрных квантовых стандартов частоты

Ученые ИФП СО РАН с коллегами из Беларуси разработали мощные сверхвысокочастотные фотодиоды, которые могут использоваться в качестве ключевых компонентов на волоконно-оптических линиях связи

В частности, речь шла о создании промышленных образцов сверхчувствительного наносенсора

В Институте физики микроструктур РАН разработаны оптимальные дизайны структур на основе теллурида ртути и кадмия (HgCdTe) с целью создания излучателей в диапазоне длин волн от 10 до 31 мкм

Международный коллектив специалистов из научных центров Германии, России, США, Канады и Японии разработал прототип сверхчувствительного сенсора на основе графеновых нанолент

26 ноября отмечает 90-й день рождения Игорь Георгиевич Неизвестный, выдающийся ученый, член-корреспондент РАН, один из создателей Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

Мероприятие состоялось с 4 по 8 октября с участием более 150 специалистов в области фотоэлектроники, нанофотоники, сенсорики из России и Беларуси

Создана первая в РФ полноформатная тепловизионная камера для дальнего инфракрасного диапазона на базе отечественного фотоприемника