Материалы по тегу «ИФП СО РАН»

Ученые ИФП СО РАН с коллегами из Беларуси разработали мощные сверхвысокочастотные фотодиоды, которые могут использоваться в качестве ключевых компонентов на волоконно-оптических линиях связи

В частности, речь шла о создании промышленных образцов сверхчувствительного наносенсора

В Институте физики микроструктур РАН разработаны оптимальные дизайны структур на основе теллурида ртути и кадмия (HgCdTe) с целью создания излучателей в диапазоне длин волн от 10 до 31 мкм

Результаты исследования международной группы ученых открывают новые возможности управления током с помощью световой волны, что в перспективе позволит создать быстродействующие электронные устройства и средства связи

Международный коллектив специалистов из научных центров Германии, России, США, Канады и Японии разработал прототип сверхчувствительного сенсора на основе графеновых нанолент

26 ноября отмечает 90-й день рождения Игорь Георгиевич Неизвестный, выдающийся ученый, член-корреспондент РАН, один из создателей Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

Мероприятие состоялось с 4 по 8 октября с участием более 150 специалистов в области фотоэлектроники, нанофотоники, сенсорики из России и Беларуси

Создана первая в РФ полноформатная тепловизионная камера для дальнего инфракрасного диапазона на базе отечественного фотоприемника

Последние несколько лет ИФП СО РАН участвует в программах Минобрнауки России по обновлению приборной базы, и часть лабораторий, включая молодежные, удалось оснастить оборудованием мирового класса

Ученые ИФП СО РАН разработали наноструктуры с квантовыми точками «германий в кремнии» с контролируемыми параметрами и модифицировали эти структуры металлическими метаповерхностями

Специалисты Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН совместно с ведущими научно-производственными организациями РФ создают полупроводниковые материалы для высоконадежной электроники

Новосибирские ученые добились управляемого синтеза высококачественных монокристаллов диоксида ванадия  (VO₂) на трехмерных наноструктурах кремния, а также селективного роста массивов наноколец VO₂

В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН прошло торжественное заседание Ученого совета, посвященное столетию со дня рождения основателя Института

На мероприятии обсуждались самые современные достижения в области создания кубитов — элементов квантового компьютера и проведения вычислений с ними

Ученые Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) первыми продемонстрировали высокую эффективность тепловидения нового поколения

Селенид висмута ― перспективный материал для создания электронных устройств нового поколения высокой производительности

Это один из необходимых этапов при создании отечественного квантового компьютера

Об этом стало известно на Российской конференции по физике полупроводников

Основная глобальная проблема реиндустриализации Новосибирской области, которую нужно решать, заключается в том, с помощью каких механизмов связать исследовательские институты и заводы.