Как сообщает Минобрнауки России, ученые Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) совместно с иностранными коллегами провели экспериментальные исследования зависимости скорости движения доменной стенки от температуры в ферримагнитных структурах для создания сверхбыстрых устройств магнитной памяти нового поколения. Результаты опубликованы в научном журнале Journal of Magnetism and Magnetic Materials.

Дальневосточный федеральный университет

Дальневосточный федеральный университет

 

Ученые работают над созданием структур из ферримагнетиков — магнитных материалов, в которых намагниченность сравнима с ферромагнетиками, но при этом проявляющих динамические характеристики, схожие с антиферромагнетиками. Использование таких материалов в комбинации с тяжелыми металлами позволит достичь субтерагерцовых частот при возбуждении магнитных моментов, тем самым открывая путь к сверхбыстрому переключению битов информации.

Ученые провели экспериментальное исследование зависимости скорости движения доменных стенок в ферримагнитных структурах от температуры. Результаты подтвердили теоретическую модель, предложенную учеными, получена максимально достижимая скорость доменной стенки в данных температурных режимах. 

«Эти результаты направлены на разработку устройств на основе движения доменных стенок, поскольку в настоящее время ферримагнетики привлекли значительное внимание как новая материальная платформа для ферримагнитной спинтроники. Мы надеемся, что наши результаты будут стимулировать развитие более полной теории и предоставят дополнительные знания для понимания лежащей в основе физики магнитной динамики ферримагнетиков», — отметил один из авторов статьи, доцент Института наукоемких технологий и передовых материалов ДВФУ Максим Стеблий. 

При поддержке программы мегагрантов национального проекта «Наука и университеты», реализуемого Минобрнауки России, в ДВФУ создана лаборатория спин-орбитроники мирового уровня. В ней уже сейчас разрабатывают научные и технологические основы нового поколения умной электроники для высокопроизводительных энергоэффективных вычислений и телекоммуникаций. На базе лаборатории планируют реализовать полный технологический цикл: от научно-исследовательских работ до испытаний и, возможно, опытного производства экспериментальных образцов трековой памяти и логических элементов для нового поколения электроники.

 

Информация предоставлена пресс-службой Минобрнауки России

Источник фото: dvfu.ru