Ученые из Манчестерского университета (Великобритания), под руководством Дэвида Миллса (David Mills) и Николаса Клинтона (Nicholas Chilton) разработали новый метод хранения информации в мономолекулярных магнитах, который приближает массовое внедрение этой технологии. Отчетную статью, опубликованную в журнале Nature, пересказывает сайт Science Daily.
Технология хранения информации в мономолекулярных магнитах (в классическом бинарном коде) основана на явлении магнитного гистерезиса, когда векторы намагничивания и напряженности магнитного поля в веществе зависят не только от приложенного внешнего поля, но и от предыстории данного образца. Иными словами, речь идет о своеобразной «памяти материала».
До сих пор считалось, что достичь такого стабильного эффекта можно только если охладить мономолекулярный магнит до температуры, близкой к абсолютному нулю (−273 °C). Это возможно с использованием жидкого гелия (−269 °C); однако жидкий гелий очень дорог.
Между тем, потенциально перспективы технологии широчайшие: с помощью нее в носитель размером с мелкую монету можно «упаковать» до 25 000 Гб информации. Для сравнения, внутренняя память iPhone7 составляет максимум 256 гигабайт.
Миллсу, Клинтону и их сотрудникам удалось добиться прогресса в удешевлении этой технологии. Они показали, что в молекуле диспрозия (Dy, химический элемент с молекулярной массой 66, относящийся к группе лантаноидов) можно добиться стабильного магнитного гистерезиса при температуре «всего» −213 °C. Это близко к температуре жидкого азота (−196 °C), который гораздо дешевле жидкого гелия.
«Использование мономолекул для хранения информации теоретически может повысить плотность упаковки данных в 100 раз, по сравнению с нынешними технологиями, − прокомментировал доктор Клинтон. − Здесь мы приблизились к температуре жидкого азота, а это означает, что хранение информации в мономолекулах становится более оправданным с экономической точки зрения».
Напомним, буквально на днях стало известно, что другому научному коллективу удалось разработать суперминиатюрные антенны, действие которых основано на пьезоэлектрическом и пьезомагнитном эффектах. Таким образом, борьба за дальнейшую миниатюризацию электроники продолжается.
