Анатолий Васильевич Ржанов за работой. Фото предоставлено "Открытым архивом СО РАН".
Сегодня исполняется 100 лет со дня рождения крупнейшего советского и российского физика, основателя и первого директора Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН, который ныне носит имя знаменитого ученого – академика Анатолия Васильевича Ржанова.
Юбилей выдающегося физика совпадает с другой знаменательной датой – Годом памяти и славы в честь 75-летия Победы в Великой Отечественной войне.
Участник Великой Отечественной войны, тяжело раненый под Ленинградом – Анатолий Васильевич с честью и мужеством прошел весь фронтовой путь.
Благодаря благородному характеру, смелости и стремлению к победе, будущий академик смог проявить себя с лучшей стороны и на военном поприще.
Коллеги ученого и по сей день говорят, что академик Ржанов относился к «поколению победителей».
«До войны Ржанов прошел курс общевойсковой подготовки на военной кафедре института, причем по собственному желанию, несмотря на то, что по состоянию здоровья его могли не взять на фронт. Присвоить звание ему не могли – только выдали справку о прохождении курса. Эти знания помогли ему получить звание младшего лейтенанта уже во время боевых действий, где он командовал отрядом разведчиков морской пехоты. Анатолий Васильевич неоднократно сам ходил в разведку, совершая рейды довольно глубоко в тыл врага. В 1943 году во время проведения боев, направленных на прорыв блокады Ленинграда, Ржанов получил тяжелые ранения, а после лечения был демобилизован», - вспоминает друг и коллега академика Ржанова советник РАН, член-корреспондент РАН Игорь Георгиевич Неизвестный, работавший заместителем директора по научной работе с момента создания института в 1962 году.
В конце 1943 года Анатолий Ржанов принял решение поступать в аспирантуру Физического института имени Лебедева (ФИАН), но снова попал в госпиталь. Выйдя из больницы, ученый отправился в расположение своей бывшей части – в районе Нарвского плацдарма, чтобы получить шинель и ботинки (в госпиталь будущий академик попал без своей одежды), так как во время войны другую одежду было сложно найти.
Его приезд совпал по времени с началом боев по прорыву и полному снятию блокады Ленинграда. Бригада морской пехоты понесла огромные потери, и Анатолий Васильевич снова взял на себя командование бывшим отрядом. За этот бой он был награжден орденом Отечественной войны.
Демобилизованный из армии, ученый жаждет заниматься наукой и сдает вступительные экзамены в аспирантуру Физического института имени Лебедева (ФИАН). К сожалению, из-за воспаления легких ученый снова попадает в госпиталь.
Лишь в конце 1945 года Ржанов начинает работу над кандидатской диссертацией, после чего для него последует «полвека большой физики».
Кандидатская диссертация Анатолия Ржанова была посвящена исследованию диэлектрика – титаната бария. В 1948 году ученый окончил аспирантуру ФИАН, после чего стал участником первых в СССР работ по созданию полупроводникового транзистора. В 1949 году Ржанов становится кандидатом физико-математических наук.
В 1964 году, в недавно образованном, набирающем силу новосибирском Академгородке на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР был создан Институт физики полупроводников. И первым его директором стал Анатолий Васильевич Ржанов.
«Относительно молодому 42-летнему Анатолию Васильевичу Ржанову, который уже состоялся как крупный ученый, фронтовик, проявивший себя прекрасным организатором, будучи командиром разведчиков – поручают создать институт в новосибирском Академгородке. Хочу обратить внимание, что создать надо было новый институт под новое направление физики! В то время, в научном мире происходил «взрыв активности» в области физики полупроводников и зарождалось то, что мы сейчас называем – микроэлектроника. Благодаря организаторским способностям и умению «зажечь» людей, Анатолий Васильевич сформировал команду, которая создала Институт физики полупроводников. В новом институте Анатолий Васильевич сконцентрировал усилия ученых на проблемах поверхности и границах раздела, что прозорливо заложило успех институту на многие годы вперед. Он инициировал развитие технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, которая сегодня является ключевой технологией нано- и фотоэлектроники. Анатолий Васильевич был исключительно интеллектуальным человеком с широким кругозором. Если посмотреть список его разнообразных публикаций, не только научного плана – становится понятно, насколько это был разносторонний человек» - комментирует директор ИФП СО РАН академик Александр Латышев.
Удостоверение ветерана Ораниенбаумского плацдарма. Фото предоставлено "Открытым архивом СО РАН".
В те времена исследования института начинались с работы группы молодых энтузиастов, которым приходилось все начинать с нуля.
Сейчас – это мощный исследовательский центр, совмещающий в себе глубокую фундаментальную академическую науку и умелую, мудро построенную систему практической реализации высокотехнологических инновационных разработок, остро востребованных современной экономикой страны.
Казалось, что Ржанов, как истинный гений, предвидел будущее.
«Было много возни с точечно-контактными транзисторами, вопреки рекламным широковещательным заявлениям американцев о том, что, в отличие от вакуумных ламп, германиевые транзисторы – это вечное устройство, в котором никогда ничего не должно происходить, я убедился, что это вовсе не так. Там заведомо идут процессы на поверхности в «устье» сплавного контакта, благодаря которым у прибора есть вполне определенное время жизни, поскольку его характеристики со временем портятся. При разработке конструкции сплавного транзистора мы все это учли. Мы все это загоняли в специальную капсулу, содержавшую два стеклянных ввода, которые могли быть герметизированы. Было принято решение правительственной комиссии – и наши образцы – полсотни, такое же количество образцов изготовления Ленинградского ФТИ, образцов промышленного НИИ, - поставить на длительные испытание стабильности во времени. Результаты этого испытания оказались такими, что и партии образцов НИИ, и ФТИ, погибли целиком за год. Может быть, один-два образца остались. У нас же наоборот – из пятидесяти образцов только несколько погибли. Это привело меня к убеждению, что исследованием поверхности и эффектов, которые лежат в основе процессов, происходящих на поверхности, нужно всерьез заняться».
(А.В. Ржанов «О событиях, фактах, людях», из книги «След на Земле. Солдат, Ученый, Учитель», Отв. редактор член-корр. РАН И.Г.Неизвестный, изд. СО РАН, Новосибирск, 2002 г.)
Основные фундаментальные достижения Института связаны с исследованием атомных процессов и электронных явлений на поверхности полупроводников и границах раздела полупроводниковых структур, квантовых эффектов в структурах пониженной размерности, в том числе, в эпитаксиальных сверхрешетках и гетероструктурах с квантовыми ямами. На основе полученных результатов реализованы приборные разработки матричных фотоприемников инфракрасного диапазона для устройств ночного видения и тепловидения, электронно-оптических преобразователей, СВЧ-транзисторов, одноэлектронных транзисторов и наносенсоров.
Также Институт гордится исследованиями, связанными с разработкой оборудования и развитием технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, которая стала основой современных нанотехнологий для полупроводниковой электроники.
«Анатолий Васильевич придавал существенное значение мотивации. Он учил, что «в Институте будущего важно заинтересовать нужного вам специалиста новым делом, убедить его, что в его личных интересах научного роста заняться именно этим, а не любым другим делом». Он уделял огромное внимание сотрудникам, умел увлечь своими идеями, а его авторитет способствовал принятию ими правильных решений. Ржанов считал, что развитие науки имеет естественные пульсации расширения и сжатия работ по отдельным научным направлениям. Это означает, что нельзя концентрироваться только на одном направлении – необходима мобильность направления работ, что в дальнейшем позволило Институту постоянно находиться на мировом уровне исследований» - комментирует директор ИФП СО РАН Александр Латышев.
Фото - Виктор Яковлев
Прозорливый гений, чуткий человек, блестящий организатор и руководитель, академик Ржанов был еще и талантливым педагогом.
«Ржанов был строгим преподавателем, а материал, который он излагал приходился некоторым студентам не по зубам. Вообще многие боялись идти к нему на экзамен. Помню, я попал к нему на сдачу серьезного экзамена, который он принимал в директорском кабинете. Анатолий Васильевич посадил меня рядом с собой и начал спрашивать. Я рассказал ему, что знал – в ответ он внимательно посмотрел на меня и сказал: «Все, в общем-то правильно, но ответ неполный». Потом он взял два листа бумаги и начал объяснять, как я должен был излагать материал. Тема довольно тяжелая – полупроводники, поверхностные состояния… Он подробно мне все объяснил, посмотрел и спросил: «Ну как, понял?» Я ответил, что да. Вдруг Ржанов говорит: «Давай зачетку» и поставил пятерку. Все были в шоке. Я запомнил этот эпизод на всю жизнь. Он проявил строгость и отеческую заботу, хотя всегда держал высокую планку, многим это было не под силу…» - поделился академик Александр Асеев.
Понимая, что наука не может обойтись без молодых кадров, Анатолий Васильевич много сил отдавал своим студентам – руководил аспирантами, возглавлял более двадцати лет кафедру физики полупроводников на физическом факультете Новосибирского государственного университета. В числе учеников академика Ржанова два академика (Александр Латышев и Александр Асеев), четыре члена-корреспондента РАН, десятки докторов и кандидатов наук.
«В 90-е годы во многих институтах началась, так называемая, ситуация турбулентности – никто ничего не понимал, много суеты, кто-то за границу уезжал, некоторые потеряли ориентиры… У нас в институте эти веяния удалось приостановить, благодаря тому, что люди имели высокую квалификацию и понимали, что такое успешная работа. У Ржанова был один главный тезис, как у фронтовика – «настоящий академик никого не должен бояться и говорить всегда правду, какой бы она ни была». Он нам как-то передал эту уверенность. Правда, Анатолий Васильевич страдал из-за этого – у него случались конфликты с Лаврентьевым, нашим основателем. Тем не менее, в институте витал дух первопроходцев – идти вперед и добиваться успеха. Этот дух однозначно царил благодаря Ржанову... Его поездка в Сибирь также была лотереей – получится или нет. В общем, все получилось», - вспоминает академик Александр Асеев.
Обширная деятельность Анатолия Васильевича не осталась незамеченной для его Родины – он был награжден высокими правительственными наградами – орденом Ленина, Октябрьской революции, Трудового Красного Знамени, «За заслуги перед Отечеством» IV степени.
За мужество и героизм, проявленные на фронте, академик Ржанов награжден также боевыми орденами и медалями – орден Отечественной войны I степени, орден Отечественной войны II степени, медаль «За отвагу», медаль «За оборону Ленинграда».
Новосибирск. С левой стороны стола слева направо: А.В. Ржанов, Ю.Д. Цветков, С.Т. Васьков, А.С. Алексеев. Фото предоставлено "Фотоархивом СО РАН"
В 2006 году Институту физики полупроводников СО РАН было присвоено имя академика Анатолия Васильевича Ржанова.
«Ржанов был в высшей степени интеллигентный и порядочный человек, который умел слушать собеседника, понять его позицию и убедить в своей точке зрения, если это было необходимо. В его порядочности не приходилось сомневаться. Происходило разное – бывали ситуации, когда приходило распоряжение сократить штат – надо было увольнять сотрудников. В этом приходилось участвовать и мне, как заведующему лабораторией. И Анатолий Васильевич проявил небывалую долю гуманности и мягкости по отношению к сокращаемым людям. Он всегда пытался найти шанс этого не делать и помочь человеку – перевести его на другую должность или оттянуть момент увольнения. Хотя в науке ситуация конкурентная, мы это понимаем. Тем не менее, Ржанов проявлял очень много такта и доброжелательности к людям», - рассказывает академик РАН Александр Чаплик.
Сегодня Институт физики полупроводников имени Анатолия Васильевича Ржанова занимает ведущие позиции в области физики полупроводников, физики конденсированного состояния, физики и технологии низкоразмерных систем опто-, нано- и акустоэлектроники, сенсорики, однофотоники, одноэлектроники, квантовой электроники, спинтроники.
В 2010 году в честь Анатолия Васильевича названа улица в Новосибирском Академгородке, на которой расположен лабораторный корпус Института физики полупроводников СО РАН.
Анатолий Васильевич прошел очень сложный жизненный путь.
Память о талантливом российском ученом жива по сей день, как и его масштабная научная школа – последователи академика продолжают развивать славные традиции Института, а также направления, заложенные Ржановым более полувека назад.
За помощь в подготовке материала портал «Научная Россия» искренне благодарит коллектив ИФП СО РАН, директора ИФП СО РАН академика Александра Латышева, академика РАН Александра Асеева, советника РАН, члена-корреспондента РАН Игоря Неизвестного, академика РАН Александра Чаплика, пресс-секретаря ИФП СО РАН Надежду Дмитриеву.
