Материалы портала «Научная Россия»

0 комментариев 201

Рентгеновское излучение помогло лучше понять поведение электронов в современных транзисторах

Рентгеновское излучение помогло лучше понять поведение электронов в современных транзисторах
Международная группа учёных НИЦ «Курчатовский институт» и швейцарского Института Пауля Шеррера изучила движение электронов по двумерному каналу в нитрид-галлиевых транзисторах.

Международная группа учёных НИЦ «Курчатовский институт» и швейцарского Института Пауля Шеррера изучила движение электронов по двумерному каналу в нитрид-галлиевых транзисторах. Исследователи впервые смогли визуализировать электронную структуру двумерного электронного газа. Результаты исследований опубликованы в журнале Nature Communications.

С помощью синхротронного излучения учёным впервые удалось исследовать зону двумерного электронного газа и получить важную фундаментальную информацию об энергии, скорости и направленности электронов. «Факт наблюдения электронной структуры "закопанного" двумерного газа использованным методом является важным научным результатом. До нашего исследования такое считалось невозможным», – пояснил младший научный сотрудник отдела прикладных наноэлектронных структур НИЦ «Курчатовский Институт» Иван Майборода.

Полупроводники на основе нитрида галлия (GaN) являются очень перспективными в современной электронике. Транзисторы, изготовленные из таких материалов, обладают мощным потенциалом в коммуникационных технологиях, системах управления электродвигателями, в автомобильной технике и многих других сферах. Однако, несмотря на широкомасштабное промышленное внедрение этих полупроводников, некоторые их фундаментальные свойства до настоящего времени оставались неизученными.

В дальнейшем учёные планируют использовать полученные разработки для сканирования электронных устройств непосредственно в процессе работы. Это даст возможность моментально визуализировать все нежелательные процессы и выявлять их причины, что значительно облегчит и ускорит процесс создания более совершенной электронной аппаратуры.

[На фото: Установка молекулярно-лучевой эпитаксии в Курчатовском институте, на которой были получены исследованные в работе образцы.]

двумерный газ нитрид-галлиевые транзисторы ниц курчатовский институт электроника

Назад

Социальные сети

Комментарии

Авторизуйтесь, чтобы оставить комментарий

Информация предоставлена Информационным агентством "Научная Россия". Свидетельство о регистрации СМИ: ИА № ФС77-62580, выдано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций 31 июля 2015 года.