Ученые из Московского физико-технического института (МФТИ) совместно с ООО «Крокус НаноЭлектроника» начали разработку сверхбыстрой магнитной памяти Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM). В ходе проекта планируется разработать новые материалы, а также технологии их контроля и моделирования. О проекте рассказывает вебсайт МФТИ.

Технология STT-MRAM основана на так называемом принципе «переноса спина» для осуществления записи в ячейках цифровой памяти. Вероятно, именно этот тип придет на смену динамической оперативной памяти (DRAM). Методика позволяет существенно сократить силу тока, затрачиваемую в ходе работы, а также использовать техпроцесс размером всего в 90–20 нанометров и даже меньше.

«Предложенная нами схема работы ячейки памяти не требует затрат времени на процессы намагничивания и размагничивания. Благодаря этому операции чтения и записи занимают лишь сотни пикосекунд, в зависимости от материалов и геометрии конкретной системы, в то время как традиционные схемы требуют в сотни и даже тысячи раз больше времени», — рассказал руководитель лаборатории квантовых технологических явлений в сверхпроводниках МФТИ Александр Голубов.

Для переключения значения джезофсоновской ячейки, состоящей из сверхпроводника и диэлектрика, из «нуля» в «единицу» ученые предлагают использовать токи, проходящие через один из слоев сверхпроводника. В то же время «чтение» данных будет осуществляться посредством тока, который будет проходить через всю систему. В результате будет достигнута скорость, в сотни раз превышающая производительность памяти типа DRAM.

По словам Александра Голубова, новая технология может быть адаптирована для компьютеров на одноквантной логике, и не потребует кардинальной смены архитектуры. Такой компьютер может развить тактовую частоту в сотни гигагерц, а его энергопотребление при этом будет ниже в десятки раз.

Ранее портал Научная Россия писал о том, что специалисты МФТИ разобрались в причинах существования «запрещенных» солей.