Материалы портала «Научная Россия»

В России начался выпуск магниторезистивной памяти

В России начался выпуск магниторезистивной памяти
Первую очередь производства новых энергонезависимых миниатюрных запоминающих устройств – MRAM – запустила проектная компания РОСНАНО «Крокус Наноэлектроника»

Электронные запоминающие устройства нового типа, сочетающие в себе оперативную и постоянную память, будут производить в России. В рамках Международного форума «Открытые инновации» компания «Крокус Наноэлектроника», совместное предприятие ОАО «РОСНАНО» и франко-американской Crocus Technology, запустила первую очередь производства магниторезистивной памяти (MRAM) на территории технополиса «Москва» – бывшего АЗЛК.

MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) – технология цифровой памяти, которая объединяет преимущества традиционных полупроводниковых и магнитных технологий. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство – энергонезависимость, т. е. возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания. Это сочетается с низким энергопотреблением, высокой скоростью и практически неограниченным числом циклов чтения и записи, характерным для «оперативок» предыдущих поколений. Такие запоминающие устройства могут использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, приборах для биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия (near-field communications – NFC) и защищённой памяти.

Создание миниатюрных чипов MRAM во многом стало возможным благодаря открытию в 1988 году эффекта гигантского магнитосопротивления, за которое в 2007 физикам Альберту Феру и Петеру Грюнбергу была присуждена Нобелевская премия. В середине 1990-х годов сразу несколько компаний начали интенсивные разработки MRAM; среди них преуспела компания Motorola, выпустившая в 2005 году первый чип ёмкостью 1 Мбит, созданный по нормам 180 нанометров. Однако только Crocus Technology на текущий момент удалось создать действующий 130-нанометровый чип и продемонстрировать возможность производства 90-нанометровой магниторезистивной памяти по технологии термического переключения. По информации РОСНАНО, такое производство, запущенное в Москве, станет первым в мире. К концу 2014 года его объём планируется довести до 500 пластин в неделю.

Источник: www.rusnano.com

mram информационные технологии память роснано электроника

Назад

Социальные сети

Комментарии

Авторизуйтесь, чтобы оставить комментарий