Материалы портала «Научная Россия»

Петербургские и нижегородские учёные «растят смену» кремнию

Петербургские и нижегородские учёные «растят смену» кремнию
Группа специалистов из СПбГЭТУ (ЛЭТИ) и ИПФ РАН приступила к выращиванию искусственного алмаза для создания на его основе нового поколения полупроводниковой техники

Группа петербургских и нижегородских учёных приступила к выращиванию искусственного алмаза для создания на его основе нового поколения полупроводниковой техники, сообщает агентство ИТАР-ТАСС. Учёные Петербургского государственного электротехнического университета (СПбГЭТУ-ЛЭТИ) и Института прикладной физики РАН выиграли 90-миллионный мегагрант правительства России для проведения этих работ.

Сейчас при создании полупроводниковых приборов используется кремний, и в мире уже достигнут потолок возможностей приборов на его основе. Применение искусственного алмаза вместо кремния даст мощный толчок развитию полупроводникового оборудования, отвечающего технологическим потребностям сегодняшнего и даже завтрашнего дня, уверены специалисты.

Исследовательскую работу возглавил американский учёный с мировым именем Джеймс Батлер. Он прибыл в Россию полтора месяца назад и сформировал два научных подразделения – в ЛЭТИ и в Нижнем Новгороде. В целом группа состоит из полутора десятков человек, включая трёх аспирантов и трёх студентов.

Как рассказал Алексей Канарейкин – руководитель исследования со стороны питерского вуза, –целью первого года работы станет выращивание нового типа искусственных алмазов, а на второй год учёные сосредоточатся уже на создании приборов.

«Это новый проект. Конечно, в мире есть исследователи, которые ведут свои поиски в том же направлении – во Франции, в США, но у нас есть все шансы осуществить этот прорыв – важная задача, перспективные кадры и хорошие деньги», – полагает Канарейкин.

В случае успешного продвижения проекта его финансирование может быть продолжено. Одним из условий предоставления правительственного мегагранта является привлечение в проект внебюджетных средстве в размере 25 процентов от суммы гранта, или 22,5 млн. рублей.

алмазы гранты ипф ран международное сотрудничество микроэлектроника отечественные разработки правительство россии спбгэту-лэти

Назад

Социальные сети

Комментарии

Авторизуйтесь, чтобы оставить комментарий