Материалы портала «Научная Россия»

Полвека большой физики

Поздравляем с полувековым юбилеем Новосибирский Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова

В 1964 году, в молодом, набирающем силу Новосибирском Академгородке на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР  был создан Институт физики полупроводников. Первым его директором стал академик  Анатолий Ржанов.



В те времена исследования института начинались с работы группы молодых энтузиастов. Сейчас – это мощный исследовательский центр, совмещающий в себе глубокую фундаментальную академическую науку, и умелую, мудро построенную систему практической реализации высокотехнологических инновационных разработок, остро востребованных современной экономикой страны. Уровень этих исследований, уровень технической оснащенности института, уровень его специалистов –  без сомнения, самый высокий по мировым стандартам. Здесь работает и повышает свою квалификацию талантливая молодежь, ею гордятся и создают молодым специалистам наилучшие условия для работы и для жизни.

Сегодня  Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова занимает ведущие позиции в области физики полупроводников, физики конденсированного состояния, физики и технологии низкоразмерных систем опто-, нано- и акусто- электроники, сенсорики, однофотоники, одноэлектроники, квантовой электроники, спинтроники. Основные фундаментальные достижения Института связаны с исследованием атомных процессов и электронных явлений на поверхности полупроводников и границах раздела полупроводниковых структур, квантовых эффектов в структурах пониженной размерности, в том числе, в эпитаксиальных сверхрешетках и гетероструктурах с квантовыми ямами. На основе полученных результатов реализованы приборные разработки матричных фотоприемников инфракрасного диапазона для устройств ночного видения и тепловидения, электронно-оптических преобразователей, СВЧ-транзисторов, одноэлектронных транзисторов и наносенсоров. Особые достижения Института связаны с разработкой оборудования и развитием технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, которая стала основой современных нанотехнологий для полупроводниковой электроники.

Председатель Сибирского отделения РАН, академик Александр Асеев, на протяжении последних 15 лет возглавлявший ИФП СО РАН, часто подчеркивает, что физика полупроводников как наука появилась именно в России, с работами выдающегося советского физика и изобретателя Олега Лосева, которые датируются 1922 годом, за два десятка лет до наступления «эпохи полупроводников» в 40-х годах. А в наши дни, когда весь мир переходит на шестой технологический уклад - нанотехнологии, клеточные технологии и методы генной инженерии, новый этап развития получат практически все отрасли  – электроника, космическая и атомная промышленность, медицина, сельское хозяйство, транспорт, связь и многое другое. В этой связи, как считает Александр Асеев, физика полупроводников будет играть ключевую роль в каждом из этих направлений. Самое ближайшее будущее новых технологий в России во многом зависит от исследований сибирских ученых, которые ведутся здесь, в ИФП СО РАН. Чтобы творить его, требуется много свежих голов, умелых рук, которые, перерабатывая накопленный опыт своих предшественников, будут двигать науку уже завтра!

О современном состоянии исследований в институте, о программе юбилейных торжеств рассказывает член-корреспондент РАН Александр Васильевич Латышев, возглавивший ИФП СО РАН в 2013 г.

 Направления лидерства
- Институт, организованный академиком Анатолием Васильевичем Ржановым, начинался с маленького коллектива и сейчас разросся в большой научно-исследовательский центр, - отмечает Александр Васильевич Латышев. – У нас очень много направлений, в том числе и междисциплинарных. Институт прекрасно известен и в России, и за рубежом, причем нас отмечают не только за фундаментальные, но и за прикладные исследования, которыми мы гордимся.  Исследования института в области низкоразмерных систем выполнены на мировом уровне, а часть из них этот мировой уровень задают.
- Есть разработки, когда в качестве рабочего элемента или кванта используется один электрон – это предел классической электроники, которую мы знаем, – рассказывает Александр Васильевич Латышев. – Мы работаем с однофотоникой – это мировой тренд, ведем работы по уменьшению геометрического размера транзистора. Пытаемся найти новые материалы, которые можно использовать в электронике – в частности, гетероэпитаксиальные структуры. Их мы выращиваем методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и этот метод висит на знамени нашего института. Мы гордимся этими технологиями.
Очень активно ведется работа в области оптоэлектороники – например, по разработке фотоприемных устройств, что очень востребовано промышленностью. Одно из важных направлений в работе института связано с использованием новых материалов на основе кремния на изоляторе. Такие структуры применяются в области радиационно-стойкой электроники, которая задействована в космосе, в ядерных реакторах, в боеголовках. Еще одно направление связано с квантовой криптографией – это связь, которая обеспечивает стопроцентную защиту от прослушивания или считывания информации. В 2012 году ИФП СО РАН вошел в тройку лидеров по исследованиям в области нанотехнологий, согласно независимому исследованию Национального электронно-информационного консорциума по заказу Министерства образования и науки.

 Подарки к юбилею 
Под эгидой юбилея в ИФП СО РАН прошел ежегодный конкурс научных работ. Был увеличен премиальный фонд, а победители получили сертификаты на приобретение оборудования и расходных материалов. Впервые в истории института все выпускники аспирантуры получили сертификаты на возможность устройства младшим научным сотрудником ИФП СО РАН. Условие одно – в течение двух лет они должны защититься, завершив свои исследования.
Была организована видеозапись лекций ведущих сотрудников института, которые будут использоваться в образовательном процессе. Запись подобных лекций предполагается продолжить до нового года. К круглой дате были изданы избранные труды сотрудников ИФП СО РАН за 50 лет, и это не единственное юбилейное издание.

- По моей идее был создан фотоальбом «Институт физики полупроводников сегодня: наука в лицах», - добавляет Александр Васильевич. – Он состоит из фотографий наших сотрудников, причем не только из научных подразделений, но и тех, кто работает в цехе, на вахте, электриками и так далее. Книгу мы вручим каждому сотруднику на память.

 Программа праздника

15 сентября в ИФП СО РАН начнется школа молодых ученых, и вступительные доклады прочтут председатель СО РАН академик Александр Леонидович Асеев и академик Александр Владимирович Чаплик. 

16 сентября в малом зале Дома Ученых начнется Международная конференция и школа молодых ученых «Физика и технология полупроводниковых структур». В ней примут участие ученые и промышленники, потому что ИФП СО РАН активно работает с предприятиями – в основном, оборонного комплекса.

Совместно с Музеем города Новосибирска ИФП организовал уличную фотовыставку, которая будет размещена на стендах напротив Института ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН. В ней будет отражено и прошлое, и настоящее Института физики полупроводников. Выставка откроется в среду, 17 сентября.

 18 сентября в Большом зале Дома Ученых пройдет торжественное заседание, посвященное 50-летию ИФП СО РАН. Доклад об основателе института академике Ржанове сделает его друг и соратник, член-корреспондент РАН Игорь Георгиевич Неизвестный. Второй доклад – о научных успехах ИФП – прочтет А.Л. Асеев, который был директором института в течение 15 лет. Затем пройдет награждение отдельных лабораторий и показ документального фильма об ИФП. В мероприятии примут участие представители муниципальных и региональных властей,  почетные гости. Вечером состоится праздничный фейерверк.

Источник:

александр асеев александр латышев анатолий ржанов исследования полупроводников молекулярно-лучевая эпитаксия новосибирский институт физики полупроводников им ржанова шестой технологический уклад

Назад

Социальные сети

Комментарии

Авторизуйтесь, чтобы оставить комментарий