Компании Intel и Micron представили новую технологию энергонезависимой памяти 3D XPoint, позволяющую позволяют увеличить плотность размещения компонентов в 10 раз по сравнению с современными технологиями. Это даст возможность повысить скорость работы различных устройств, приложений и сервисов, которым необходим быстрый доступ к большим объемам данным.

Память 3D XPoint позволяет создать новую категорию устройств хранения данных впервые со времен выхода на рынок флеш-памяти NAND в 1989 году. Компании разработали уникальные композитные материалы и специальную архитектуру, что позволило достичь нового уровня производительности, необходимому для решения современных задач.

3D-структура элемента памяти включает в себя несколько слоев проводов. В каждом слое провода параллельны друг другу, но находятся под прямым углом к тем, что на слой ниже. Между слоями находятся вертикальные субмикроскопические колонны, которые соединяют точки, в которых провода пересекаются. Каждый из этих столбцов содержит «клетку памяти», которая может хранить один бит данных и «селектор», который переключает в ячейке режимы записи и чтения.

Энергонезависимость новой технологии также позволяет использовать ее для различных приложений для хранения данных с низкой задержкой: данные не стираются после выключения устройства.

Технология, к примеру, пригодится для систем, работающих с огромными объемами данных — тем, что нынче называется Big Data. Например, для проектов по расшифровке геномов и развитии персональной медицины на их основе. Имеющиеся технологии решать такие задачи достаточно быстро.

Быстрая технология памяти выведет на новый уровень эффективности и облачные технологии. Безусловно, оценят ее и любители видеоигр, которым не придется ждать подгрузки очередной области игрового мира.