Коллектив ученых, в составе которого исследователи из МФТИ, Курчатовского института, МГУ и СПбГУ, а также Пармского университета в Италии, представил искусственную нейронную сеть на основе полимерных мемристоров. Статья о разработке опубликована в журнале Organic Electronics, о ней рассказывает сайт МФТИ.

Мемристор — это электрический элемент, аналог обычного резистора. Но в отличие от последнего, электрическое сопротивление мемристора зависит от прошедшего через него заряда, и за счет этого он постоянно меняет свои свойства под воздействием внешнего сигнала. Таким образом, мемристор обладает памятью и одновременно способностью менять данные, закодированные состоянием его сопротивления — аналогичными свойствами обладают элементы нейросети нашего мозга, в этом смысле мемристор подобен синапсу, который соединяет нервные клетки мозга.

Российским ученым впервые удалось создать мемристоры из полимера полианилина и построить из них простейшую нейросеть, причем сеть оказалась способна к обучению и выполнению заданных логических операций. Ученые показали, что их новая мемристорная сеть уже спустя 15 попыток становится способной выполнять логические операции NAND (исключающее «И»), а потом ее же можно переучить выполнять и NOR (исключающее «ИЛИ»). Поскольку правильность ответа проверяет оператор или обычный компьютер, данный метод называется обучением с учителем.

Далее стоит задача по совершенствованию технологии. Необходимо работать над большей компактностью таких схем, а также возможностью сделать и трехмерные сети, разместив мемристоры друг над другом в многоэтажной структуре. Подобные разработки, в первую очередь, помогут в создании систем машинного зрения, слуха и других органов восприятия, а также систем интеллектуального управления различными устройствами, включая автономных роботов.